Система PECVD
Чому обирають нас?
Надійна якість продукції
Компанія Xinkyo була заснована в 2005 році професійними дослідниками матеріалів. Його засновник навчався в Пекінському університеті та є провідним виробником високотемпературного експериментального обладнання та лабораторного обладнання для дослідження нових матеріалів. Це дає нам змогу надавати високоякісне та недороге високотемпературне обладнання для лабораторій дослідження та розробки матеріалів.
Сучасне обладнання
Основне виробниче обладнання: Штампувальні верстати з ЧПУ, згинальні верстати з ЧПУ, гравірувальні верстати з ЧПУ, високотемпературні токарні верстати з ЧПУ, лежачі верстати, портальні фрезерні верстати, обробні центри, листовий метал, верстати для лазерного різання, штампові верстати з ЧПУ, згинальні машини, самоємнісні зварювальні машини , апарати аргонодугового зварювання, лазерне зварювання, піскоструминні апарати, автоматичні камери випікання фарби.
Широкий спектр застосування
Продукція в основному використовується в кераміці, порошковій металургії, 3D-друкі, дослідженні та розробці нових матеріалів, кристалічних матеріалах, термічній обробці металу, склі, матеріалах негативних електродів для літієвих батарей нової енергії, магнітних матеріалів тощо.
Широкий Ринок
Річний дохід від експортних продажів XinKyo Furnace становить понад 50 мільйонів, причому 30% припадає на ринки Північної Америки (наприклад, Сполучені Штати, Канада, Мексика тощо), а ринки Європи (наприклад, Франція, Іспанія, Німеччина тощо) близько 20%; 15% в Південно-Східній Азії (Японія, Корея, Таїланд, Малайзія, Сінгапур, Індія та ін.) і 10% на російському ринку; 10% на Близькому Сході (Саудівська Аравія, ОАЕ тощо), 5% на ринку Австралії та решта 10%.
Що таке система PECVD?
Системи плазмового хімічного осадження з парової фази (PECVD) зазвичай використовуються в напівпровідниковій промисловості для процесів осадження тонких плівок. Технологія PECVD включає осадження твердих матеріалів на підкладку шляхом введення летких газів-попередників у плазмове середовище. Системи PECVD забезпечують низку переваг, включаючи низькотемпературну обробку, відмінну однорідність плівки, високу швидкість осадження та сумісність із широким спектром матеріалів. Ці системи широко використовуються в різних сферах застосування, таких як мікроелектроніка, фотоелектрична техніка, оптика та MEMS (мікроелектромеханічні системи).
-
![1200C Тризонна система нагріву PECVD]()
1200C Тризонна система нагріву PECVDSK2-CVD-12TPB4 – це трубчаста піч для системи PECVD, що складається з радіочастотного джерела живлення потужністю 300 Вт або 500 Вт, багатоканальної прецизійної системи потоку, вакуумної системи...Більш
Переваги системи PECVD
Нижчі температури осадження
Систему PECVD можна проводити при нижчих температурах від кімнатної до 350 градусів порівняно зі стандартними температурами CVD від 600 до 800 градусів. Цей нижчий температурний діапазон забезпечує успішне застосування, де вищі температури CVD можуть потенційно пошкодити пристрій або підкладку, на яку наноситься покриття.
Хороша відповідність і покриття кроків
Система PECVD забезпечує хорошу відповідність і покриття кроків на нерівних поверхнях. Це означає, що тонкі плівки можна рівномірно наносити на складні та нерівні поверхні, забезпечуючи високоякісне покриття навіть у складних геометріях.
Зменшення напруги між шарами тонкої плівки
Працюючи при нижчих температурах, система PECVD зменшує напругу між шарами тонкої плівки, які можуть мати різні коефіцієнти теплового розширення або стиснення. Це допомагає підтримувати високі електричні характеристики та з’єднання між шарами.
Посилений контроль процесу виготовлення тонкої плівки
PECVD дозволяє точно контролювати параметри реакції, такі як швидкість потоку газу, потужність плазми та тиск. Це дозволяє точно налаштувати процес осадження, в результаті чого отримують високоякісні плівки з бажаними властивостями.
Висока швидкість осадження
Система PECVD може досягти високої швидкості осадження, дозволяючи ефективно та швидко наносити покриття на основи. Це особливо корисно для промислових застосувань, де потрібні високі темпи виробництва.
Чиста енергія для активації
Системні процеси PECVD використовують плазму для створення енергії, необхідної для осадження поверхневого шару, усуваючи потребу в тепловій енергії. Це не тільки зменшує споживання енергії, але й призводить до більш чистого використання енергії.
Застосування системи PECVD
Система PECVD відрізняється від звичайного CVD (хімічного осадження з парової фази) тим, що вона використовує плазму для нанесення шарів на поверхню за нижчих температур. Процеси CVD покладаються на гарячі поверхні для відображення хімічних речовин на підкладку або навколо неї, тоді як PECVD використовує плазму для дифузії шарів на поверхні.
Є кілька переваг використання покриттів PECVD. Однією з головних переваг є можливість нанесення шарів при більш низьких температурах, що зменшує навантаження на матеріал, на який наноситься покриття. Це дозволяє краще контролювати процес нанесення тонкого шару та швидкість осадження. Покриття PECVD також забезпечують чудову однорідність плівки, низьку температуру обробки та високу продуктивність.
Системи PECVD широко використовуються в напівпровідниковій промисловості для різних застосувань. Вони використовуються для осадження тонких плівок для мікроелектронних пристроїв, фотоелектричних елементів і панелей відображення. Покриття PECVD особливо важливі в мікроелектронній промисловості, яка включає такі галузі, як автомобільне, військове та промислове виробництво. Ці галузі використовують діелектричні сполуки, такі як діоксид кремнію та нітрид кремнію, для створення захисного бар’єру від корозії та вологи.
Обладнання PECVD подібне до обладнання, що використовується для процесів PVD (фізичного осадження з парової фази), з камерою, вакуумним насосом(ами) і системою розподілу газу. Гібридні системи, які можуть виконувати процеси PVD і PECVD, пропонують найкраще з обох світів. Покриття PECVD, як правило, покривають усі поверхні в камері, на відміну від PVD, який є процесом прямої видимості. Використання та технічне обслуговування обладнання PECVD буде відрізнятися залежно від інтенсивності використання кожного процесу.
Як системи PECVD створюють покриття?
PECVD — це варіант хімічного осадження з парової фази (CVD), який використовує плазму замість тепла для активації вихідного газу або пари. Оскільки високих температур можна уникнути, діапазон можливих підкладок розширюється до матеріалів з низькою температурою плавлення – навіть у деяких випадках пластику. Крім того, асортимент покриттів, які можна наносити, також зростає.
Плазма в процесах осадження з парової фази зазвичай створюється шляхом подачі напруги на електроди, занурені в газ, під низьким тиском. Системи PECVD можуть генерувати плазму різними способами, наприклад, від радіочастот (RF) до середніх частот (MF) до імпульсної або прямої потужності постійного струму. Незалежно від того, який частотний діапазон використовується, мета залишається незмінною: енергія, що постачається джерелом живлення, активує газ або пару, утворюючи електрони, іони та нейтральні радикали.
Ці енергетичні види потім первинні для реакції та конденсації на поверхні субстрату. Наприклад, DLC (алмазоподібний вуглець), популярне ефективне покриття, створюється, коли вуглеводневий газ, як-от метан, дисоціює в плазмі, а вуглець і водень рекомбінуються на поверхні підкладки, утворюючи фінішне покриття. Окрім початкового зародження покриття, швидкість його росту відносно постійна, тому його товщина пропорційна часу осадження.
Який принцип роботи системи PECVD?
Генерація плазми
Системи PECVD використовують джерело високочастотного радіочастотного живлення для створення плазми низького тиску. Це джерело живлення створює тліючий розряд у технологічному газі, який іонізує молекули газу та створює плазму. Плазма складається з іонізованих газів (іонів), електронів і деяких нейтральних частин як в основному, так і в збудженому станах.
Осадження плівки
Тверда плівка наноситься на поверхню підкладки. Підкладка може бути виготовлена з різних матеріалів, включаючи кремній (Si), діоксид кремнію (SiO2), оксид алюмінію (Al2O3), нікель (Ni) і нержавіючу сталь. Товщину плівки можна контролювати, регулюючи параметри осадження, такі як швидкість потоку газу-попередника, потужність плазми та час осадження.
Активація газу-попередника
Гази-попередники, які містять потрібні елементи для осадження плівки, вводяться в камеру PECVD. Плазма в камері активує ці гази-попередники, викликаючи непружні зіткнення між електронами та молекулами газу. Ці зіткнення призводять до утворення реактивних частинок, таких як збуджені нейтрали та вільні радикали, а також іони та електрони.
Хімічні реакції
Активовані гази-попередники проходять ряд хімічних реакцій у плазмі. Ці реакції включають реакційноздатні речовини, що утворилися на попередньому етапі. Реакційноздатні речовини реагують один з одним і з поверхнею підкладки, утворюючи тверду плівку. Осадження плівки відбувається внаслідок комбінації хімічних реакцій і фізичних процесів, таких як адсорбція та десорбція.
Системи PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) зазвичай працюють за низького тиску, як правило, у діапазоні 0.1-10 Торр, і за відносно низьких температур, як правило, у діапазоні 200-500 ступінь . Це означає, що PECVD працює при високому вакуумі, оскільки для підтримки цих низьких тисків потрібна дорога вакуумна система.
Низький тиск у PECVD допомагає зменшити розсіювання та сприяє рівномірності процесу осадження. Це також мінімізує пошкодження основи та дозволяє наносити широкий спектр матеріалів.
Системи PECVD складаються з вакуумної камери, системи подачі газу, генератора плазми та тримача підкладки. Система подачі газу вводить гази-попередники у вакуумну камеру, де вони активуються плазмою для утворення тонкої плівки на підкладці.
Генератор плазми в системах PECVD зазвичай використовує джерело високочастотного радіочастотного живлення для створення тліючого розряду в технологічному газі. Потім плазма активує гази-попередники, сприяючи хімічним реакціям, які призводять до утворення тонкої плівки на підкладці.
PECVD працює у високому вакуумі, зазвичай у діапазоні 0.1-10 торр, щоб забезпечити однорідність і мінімізувати пошкодження підкладки під час процесу осадження.
При якій температурі виконується система PECVD?
Температура, при якій виконується PECVD (плазмове хімічне осадження з парової фази), коливається від кімнатної температури до 350 градусів. Цей нижчий діапазон температур є перевагою порівняно зі стандартними процесами CVD (хімічного осадження з парової фази), які зазвичай проводяться при температурах від 600 градусів до 800 градусів.
Нижчі температури осадження PECVD забезпечують успішне застосування в ситуаціях, коли вищі температури CVD можуть потенційно пошкодити пристрій або підкладку, на яку наноситься покриття. Завдяки роботі при нижчій температурі він створює меншу напругу між шарами тонкої плівки, які мають різні коефіцієнти теплового розширення/скорочення, що забезпечує високу ефективність електричних характеристик і з’єднання за високими стандартами.
PECVD використовується в нанофабриках для осадження тонких плівок. Його температура осадження коливається від 200 до 400 градусів. Його вибирають замість інших процесів, таких як LPCVD (хімічне осадження з парової фази під низьким тиском) або термічне окислення кремнію, коли обробка при низькій температурі необхідна через термічний цикл або обмеження матеріалів. Плівки PECVD, як правило, мають вищу швидкість травлення, вищий вміст водню та точкові отвори, особливо для тонших плівок. Проте PECVD може забезпечити вищі швидкості осадження порівняно з LPCVD.
Переваги PECVD перед звичайним CVD включають нижчу температуру осадження, хорошу відповідність і ступінь покриття на нерівних поверхнях, жорсткіший контроль процесу тонкої плівки та високу швидкість осадження. У системі PECVD використовується плазма для забезпечення енергії для реакції осадження, що дозволяє проводити обробку при нижчій температурі порівняно з чисто термічними методами, такими як LPCVD.
Температурний діапазон PECVD забезпечує більшу гнучкість процесу осадження, забезпечуючи успішне застосування в різних ситуаціях, коли вищі температури можуть бути непридатними.
Які матеріали депонуються в PECVD?
PECVD означає плазмове хімічне осадження з парової фази. Це техніка низькотемпературного осадження, яка використовується в напівпровідниковій промисловості для нанесення тонких плівок на підкладки. Матеріали, які можна осадити за допомогою PECVD, включають оксид кремнію, діоксид кремнію, нітрид кремнію, карбід кремнію, алмазоподібний вуглець, полікремній та аморфний кремній.
PECVD відбувається в реакторі CVD з додаванням плазми, яка є частково іонізованим газом з високим вмістом вільних електронів. Плазма генерується шляхом застосування радіочастотної енергії до газу в реакторі. Енергія вільних електронів у плазмі дисоціює реакційноздатні гази, що призводить до хімічної реакції, у результаті якої на поверхні підкладки утворюється плівка.
PECVD можна виконувати при низьких температурах, як правило, від 100 до 400 градусів, оскільки енергія вільних електронів у плазмі дисоціює реакційноздатні гази. Цей метод низькотемпературного осадження підходить для чутливих до температури пристроїв.
Плівки, нанесені PECVD, мають різні застосування в напівпровідниковій промисловості. Вони використовуються як ізоляційні шари між провідними шарами, для пасивації поверхні та інкапсуляції пристроїв. Плівки PECVD також можна використовувати як герметики, пасиваційні шари, жорсткі маски та ізолятори в широкому діапазоні пристроїв. Крім того, плівки PECVD використовуються в оптичних покриттях, налаштуванні радіочастотних фільтрів і як жертвуючі шари в пристроях MEMS.
PECVD пропонує перевагу доставки дуже однорідних стехіометричних плівок із низьким навантаженням. Властивості плівки, такі як стехіометрія, показник заломлення та напруга, можна налаштувати в широкому діапазоні залежно від застосування. Додаючи інші гази-реагенти, діапазон властивостей плівок можна розширити, дозволяючи осаджувати такі плівки, як фторований діоксид кремнію (SiOF) і оксикарбід кремнію (SiOC).
PECVD є критично важливим процесом у напівпровідниковій промисловості для осадження тонких плівок із точним контролем товщини, хімічного складу та властивостей. Він широко використовується для осадження діоксиду кремнію та інших матеріалів у термочутливих пристроях.
Яка різниця між PECVD та CVD?
PECVD (плазмове хімічне осадження з парової фази) і CVD (хімічне осадження з парової фази) — це два різні методи, які використовуються для нанесення тонких плівок на підкладку. Основна відмінність між PECVD і CVD полягає в процесі осадження та використовуваних температурах.
CVD — це процес, у якому гарячі поверхні відбивають хімічні речовини на підкладку або навколо неї. Він використовує вищі температури порівняно з PECVD. CVD передбачає хімічну реакцію газів-попередників на поверхні підкладки, що призводить до осадження тонкої плівки. Осадження CVD покриттів відбувається в текучому газоподібному стані, що є дифузним різноспрямованим типом осадження. Він передбачає хімічні реакції між газами-попередниками та поверхнею підкладки.
З іншого боку, PECVD використовує холодну плазму для нанесення шарів на поверхню. Він використовує дуже низькі температури осадження порівняно з CVD. PECVD передбачає використання плазми, яка створюється шляхом застосування високочастотного електричного поля до газу, як правило, суміші газів-попередників. Плазма активує гази-попередники, дозволяючи їм реагувати та осідати у вигляді тонкої плівки на підкладку. Осадження покриттів PECVD відбувається шляхом осадження на місці, оскільки активовані гази-попередники спрямовуються до підкладки.
Переваги використання покриттів PECVD включають нижчі температури осадження, що зменшує навантаження на матеріал, на який наноситься покриття. Ця нижча температура дозволяє краще контролювати процес тонкого шару та швидкість осадження. Покриття PECVD також мають широкий спектр застосувань, включаючи шари проти подряпин в оптиці.
PECVD і CVD — це різні методи осадження тонких плівок. CVD покладається на гарячі поверхні та хімічні реакції, тоді як PECVD використовує для осадження холодну плазму та нижчі температури. Вибір між PECVD і CVD залежить від конкретного застосування та бажаних властивостей покриття.
Робота систем PECVD
Хімічне осадження з парової фази (CVD) — це процес, у якому газова суміш реагує з утворенням твердого продукту, який наноситься у вигляді покриття на поверхню підкладки. Типи покриттів, які можна отримати за допомогою CVD, різноманітні: ізоляційні, напівпровідникові, електропровідні або надпровідні покриття; гідрофільні або гідрофобні покриття, сегнетоелектричні або феромагнітні шари; покриття, стійкі до нагрівання, зносу, корозії або подряпин; світлочутливі шари тощо. Розроблено різні способи проведення CVD, які відрізняються способом активації реакції. Загалом CVD у всіх його формах дозволяє досягти дуже однорідних поверхневих покриттів, особливо корисних для тривимірних деталей, навіть із проміжками або нерівними поверхнями, важкодоступними. Проте плазмове хімічне осадження з парової фази (PECVD) має додаткову перевагу перед термічно активованим CVD, оскільки воно може працювати при нижчих температурах.
Дуже ефективний спосіб нанесення плазмових покриттів полягає в розміщенні заготовок у вакуумній камері системи PECVD, де тиск знижується приблизно до {{0}}.1–0,5 мілібар. Потік газу вводиться в камеру, щоб осадити на поверхню, і електричним струмом застосовується для збудження атомів або молекул газової суміші. У результаті виходить плазма, компоненти якої є набагато більш реакційноздатними, ніж звичайний газоподібний стан, що дозволяє реакціям відбуватися при нижчих температурах (від 100 до 400 градусів), збільшує швидкість осадження, а в деяких випадках навіть підвищує ефективність певних реакцій. Процес триває в системі PECVD, доки покриття не досягне бажаної товщини, а побічні продукти реакції екстрагуються для покращення чистоти покриття.
Наші сертифікати
Наша фабрика
Компанія Xinkyo була заснована в 2005 році професійними дослідниками матеріалів. Його засновник навчався в Пекінському університеті та є провідним виробником високотемпературного експериментального обладнання та лабораторного обладнання для дослідження нових матеріалів. Це дає нам змогу надавати високоякісне та недороге високотемпературне обладнання для лабораторій дослідження та розробки матеріалів. Наша продукція включає високотемпературні печі, трубчасті печі, вакуумні печі, тролейбусні печі, підйомні печі та інші повні комплекти обладнання. Завдяки чудовому дизайну, доступним цінам і обслуговуванню клієнтів Xinkyo прагне стати світовим лідером у матеріалознавчих дослідженнях високотемпературного обладнання.
Остаточний посібник із поширених запитань щодо системи PECVD
Як один із провідних виробників та постачальників систем pecvd у Китаї, ми щиро вітаємо вас із придбанням високоякісної системи pecvd для продажу тут на нашому заводі. Всі наші продукти мають високу якість і конкурентоспроможну ціну.